Sistema de crecimiento de películas delgadas por Sputtering
Sala de Crecimiento - Sputtering - AJA2400
La Sala limpia del INN-CAB cuenta con dos sistemas de crecimiento de películas delgadas por Sputtering.
El sistema está diseñado para el crecimiento de películas delgadas (nm a algunas decenas de nm) de espesor por sputtering (erosión catódica). Posee cuatro fuentes paralelas y un posicionador programable que permite el crecimiento de superredes combinando más de un material. También posee un sistema de calefacción del sustrato que permite depositar a temperaturas entre ambiente y 800 °C, inclusive en atmosfera oxidante, lo que habilita el crecimiento de óxidos como perovskitas.
- Lugar: Centro Atómico Bariloche
- Dependencia: INN-Sala limpia
Sala de Crecimiento - Sputtering – ALCATEL
El sistema está diseñado para el crecimiento de películas delgadas (nm a algunas decenas de nm) de espesor por sputtering (erosión catódica). Posee tres fuentes paralelas y un posicionador programable que permite el crecimiento de superredes combinando más de un material. También posee un sistema de calefacción del sustrato que permite depositar a temperaturas entre ambiente y 600 °C, inclusive en atmosfera oxidante, lo que habilita el crecimiento de óxidos como perovskitas.
- Lugar: Centro Atómico Bariloche
- Dependencia: INN-Sala limpia
Sistema de crecimiento de películas delgadas semiconductoras por molecular Beam Epitaxy – Riber
El sistema está diseñado para el crecimiento de películas delgadas semiconductoras III-V (AlAs-AlGaAs).
- Lugar: Centro Atómico Bariloche
- Dependencia: INN-Sala limpia
Crecimiento de films delgados por ablación láser (PLD)
En el Departamento de Materia Condensada del Centro Atómico Constituyentes se cuenta con un sistema de crecimiento de films delgados mediante ablación láser (Pulsed Laser Deposition, o PLD). La cámara de ablación fue adquirida a la firma norteamericana NBM Design, mientras que el láser es de tipo Nd:YAG pulsado, cuadruplicado en frecuencia hasta 266nm, alcanzando una energía por pulso a esa longitud de onda de 110mJ. Adosado a la cámara se cuenta con un sistema de caracterización in-situ mediante difracción de electrones de alta energía (RHEED). Esta opción permite obtener información en tiempo real sobre la cristalinidad, epitaxia, morfología y mecanismo de crecimiento de los films.
- Lugar:CAC
- Dependencia:Lab. de Prop. Eléctricas y Magnéticas,Depto. de Física de la Materia Condensada.
Sputtering AJA ATC ORION
Sistema de depósito de películas delgadas por erosión anódica (sputtering). Posee una cámara de alto vacío equipada con "load lock" que permite realizar varias muestras sin romper el vacío de la cámara de depósito. Fabricante: AJA International. Características: Sistema manual equipado con fuentes de DC de 200W y RF de 300W. Calefactor de sustrato hasta 700ºC. Tamaños de muestra: cualquier forma y tamaño hasta 100 mm. Blancos disponibles: Cu, Ti, Cr, Al. Otros materiales consultar.
- Lugar: 2° Piso Edificio Tandar, Centro Atómico Constituyentes - Sala de Ataques por Plasma
- Dependencia: Departamento de Micro y Nano Tecnología-Gerencia de Desarrollo Tecnológico y Proyectos Especiales